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肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，与普通的PN结二极管相比，它具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。肖特基二极管在高频整流、开关电路和保护电路中作为整流和续流元件，可以大幅度降低功耗，提高电路效率和使用频率，减少电路噪声。随着电力电子技术的蓬勃发展，肖特基二极管的高频、低功耗等优良性能将为其赢得广阔的发展前景。 串连电阻是制约肖特基二极管响应速度的一个关键因素。与体材料制作肖特基二极管不同，本文以降低器件的串连电阻为目的，采用半导体薄膜材料作有源层。利用我们自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术外延了亚微米级的Si薄膜，成功的制作了具有整流特性的高频薄硅肖特基二极管的原型器件。此后又对用新型材料作SBD作了有益的尝试，首次研制了ZnO薄膜肖特基二极管的原型器件，这标志着我们从半导体材料的生长向半导体器件的研制迈出了重要的一步。 本文的具体工作可归纳为： 1)薄硅外延片研制高频肖特基二极管的原型器件。 a)利用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术在重掺Si衬底上生长高晶体质量的亚微米级薄硅外延片。 b)在薄硅外延片的生长基础上，探索制作肖特基二极管的相关工艺，研制高频SBD原型器件。 2)ZnO薄膜肖特基二极管原型器件的研究。 a)利用磁控溅射技术，首次在Si衬底上，以金属Al做过渡层制备具有高C轴取向的ZnO晶体薄膜。 b)探索适合ZnO肖特基二极管的制作工艺，选用Pt作肖特基电极研制肖特基二极管原型器件。 c)在制作Pt／ZnO／Al SBD的基础上，对ZnO SBD原型器件的结构与工艺进行改进，研制性能更为优异的SBD。