随着微电子技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸日益减小，静电放电(ESD,Electro-StaticDischarge)现象逐渐成为影响器件可靠性的重要因素之一。基于二极管和MOS管等防护器件的发展，SCR(SiliconControlledRectifier)逐渐成为ESD防护领域的重要器件之一。本文理论研究与仿真技术相结合，分析了在不同SCR和LVTSCR(Low-VoltageTriggeredSCR)内部结构参数情况下，两种器件对ESD防护性能的影响。本文的主要工作在以下几方面：首先，研究了ESD的原理，讨论了ESD引发的器件失效机理和损伤模式；其次，研究了半导体器件二维仿真的理论参数，包括器件参数和模型建立所需的基本方程和边界条件；最后，利用仿真软件ISE-TCAD对SCR、LVTSCR和VASCR(VoltageAdjustableSCR)在ESD脉冲作用下的防护特性进行了二维模拟，在详细分析SCR和LVTSCR工作原理的基础上，通过调整SCR和LVTSCR内部几个重要的器件结构参数，研究了其I-V特性曲线的漂移情况，深入分析器件结构参数的改变引起SCR和LVTSCR开启电压Vt和维持电压Vh改变的机理，并同时验证了VASCR在开启电压Vt不变的情况下，对维持电压Vh的调节功能。