Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，它们的带隙能0.3-3.7eV，因此，具有非常宽范围的光电性质。它们的主要应用涉及到磷光技术、薄膜及电致发光器件、激光、红外、非线性光学、光探测器、记忆效应等。纳米材料由于其独特的物理化学性质以及潜在的应用价值而成为当今基础与应用研究的热点之一。论文前言主要简单介绍了半导体的性质和纳米材料的发展，重点对Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的研究状况进行了综述。是本论文具有指导意义的一部分。 硫化铜体系作为一种人们熟知的光电材料而引起广泛的关注。在硫化铜体系中，一系列CuxS化合物在常温下都可以存在，例如辉铜矿(Cu2S)、久辉铜矿(Cu1.9375S)、斜方蓝辉铜矿(Cu1.75S)、靛铜矿(CuS)。其中辉铜矿由于其窄的能带间隙、高的离子传导性及光电性能而备受关注。本文(第二章)中利用乙二胺作为混合溶剂在水热条件下从铜片上生长Cu2S微米盘，并利用XRD，SEM，TEM，VIS-NIR等对其产物进行表征。更好地证明了六角形Cu2S微米盘生长和光学性质依赖于en的存在和浓度。另外，这些结晶完整的Cu2S微米盘与其它Cu2S材料相比显示了显著的光学性质。 在本文中，我们用简单的一步溶液法既合成了六方相CdS也合成了立方CdS，另外我们利用单胺作溶剂，合成了零维纳米颗粒，一维CdS纳米棒。有机胺在CdS纳米晶体的生长过程中起着重要的作用。有趣的是，我们利用亚溶剂热法在比较低的温度下(60℃)合成了CdS纳米棒，这是迄今为止在乙二胺溶液中制备CdS完整晶体的最低温度。我们对其做的光学性质表明，晶体的物理形貌很大程度上依赖于化学合成过程。另外，乙二胺的存在使得CdS晶体在550nm处的特征峰明显增强，而且不同en浓度下的产物发生兰移。 我们在既没有液晶模板也没有多孔硬模板的作用下利用温和的水热法通过改变溶剂浓度、温度等条件制备六方相ZnS，以及讨论了六方相与立方相之间制备条件的差异。初步提出了各种溶剂对制备立方和六方相晶体结构影响的机理，以其达到可以人为控制制备特性相的ZnS结构的目的。并在此基础上，探讨了不同溶剂中ZnS的发射光谱，简要地提出相应的硫化锌半导体的能带结构。 在有机溶剂乙二胺体系中，用简单的溶液(湿)化学法，以一定配比的水和乙二胺(en)混合溶液为溶剂，水热氧化Zn片合成高度有序的ZnO晶须薄膜。乙二胺在生成不同表面形态的ZnO薄膜的反应中起了重要作用，如合成自组装的纳米颗粒单元的ZnO。根据ZnO的各向异性的Wurtzite结构，在325nm的激发光的激发下，在紫外(UV)可见区，有唯一的紫外发射峰380nm。因此我们可以在较温和的条件下大面积合成有序的ZnO晶须。以不同配比的en：H2O混合溶液为溶剂，按照不同的反应温度和时间，我们对ZnO薄膜的形态进化进行详细的研究。室温下的荧光分析结果不仅取决于晶形，也跟形貌有关。 本文合成了一种新颖的ZnO半导体微结构。首次在没有模板和碱的情况下，在正丁醇的作用下，利用简便水热法一步合成了由纳米墙组成的两端封闭六角菱形微米尺寸的无机富勒希结构的ZnO单晶体，对产物的结构和形貌做了XRD和SEM分析。我们发现反应温度和反应时间对ZnO晶体的形貌和生长习性具有很大的影响。表明这些中空的ZnO晶体是由于前驱体的再组合形成的。这些ZnO微米晶体的生长习性与其六方相的P63mc空间构型密切相关。这些微米管在可见光区域的强发射峰表明其结构上有很大的缺陷。