GaN是优越的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅲ-Ⅴ族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。GaN基光电子器件的制备和工艺均得到了很大程度的发展，但是相关的物理机制尚存争议。本论文即在重点讨论相关器件的物理问题，希望能够对GaN基光电器件的研制和发展提供一定的指导意义。 第一章简要阐述了GaN的制备方法，晶体结构类型和性质。从结构入手说明了GaN做为光电材料的优点：达3.5eV的宽禁带直接带隙的半导体。接着介绍了GaN的不同发光类型和相应的特点。然后分析了不同的杂质对GaN发光的影响。特别指出了掺Mg的GaN作为P型半导体的发光性质和研究现状。最后分别介绍了GaN基的两个重要异质结：ZnO/GaN和CrO2/GaN。 第二章研究和讨论了ZnO/GaN的界面性质。经化学方法出去ZnO/GaN中的ZnO后，比较生长ZnO前后的GaN的发光的变化，通过一系列的实验和分析，我们认为O在生长ZnO薄膜的过程中扩散进入了GaN内，使得GaN的发光发生蓝移。蓝移后的发光与报道的ZnO/GaN的发光一致，因此我们认为ZnO/GaN的发光来自GaN层。 第三章初步探索了CrO2GaN结的制备，研究了生长在TiO2衬底上的CrO2的结构、磁学性质和输运性质。在此基础上，制备了CrO2/GaN异质结，对生长在GaN上的CrO2的输运行为进行了详细的讨论。此外，我们还对生长CrO2前后的GaN的发光进行了研究和分析，认为在在CrO2与GaN的界面处形成了GaN：Cr层，导致了低能端电致发光谱的变化。