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AlN 薄膜具有很多优异的特性。由于其化学稳定性高、热传导率高、机械强度高、电绝缘性能佳、高能隙、热膨胀系数低，所以可用于大功率半导体器件的绝缘基片，大规模和超大规模集成电路的散热基片和应用于半导体上作绝缘层或保护层（Passivation layer）；其优良的光学特性，可以用它制作大功率的紫外光学器件；AlN 薄膜还具有高声波波速（500至 6500m/sec），是目前所知具有