首次利用不含稀土离子的配合物InClPc和ZnPc作为发光材料,制备了0.9μm附近的多层结构有机近红外电致发光器件。对器件性能进行了分析比较,优化了器件结构。合成了一系列新型的苯氧基取代InClPc和ZnPc,并用质谱、氢核磁、元素分析等对其进行了表征,验证它们的化学结构并研究了其光学性质。这类新的材料极易溶解于一些常见的有机溶剂,可以通过旋涂的方法制备均匀的薄膜。我们用这些材料作为发光客体掺入主体发光材料中,在国际上首次利用酞菁旋涂薄膜作为发光层,制备了0.9μm附近的有机近红外电致发光器件。这种方法大大简化了制作工艺,降低了制作成本,为今后有机近红外电致发光器件的实际应用提供了一种有效途径。利用自行研制的新型多源有机分子真空沉积系统生长的CuPc薄膜作为OTFTs的有源层,制备了基于两种可旋涂的聚合物绝缘层的CuPc薄膜场效应晶体管。这些器件性能良好,显示了令人满意的p型器件性质。由于酞菁材料的稳定性和廉价性,器件具有低廉的成本、较好的稳定性和寿命,具有可实际应用于驱动大面积柔性OLEDs器件或LCDs器件的潜力。我们同时讨论了不同聚合物绝缘层上沉积的CuPc薄膜的结构性质和对应的CuPc薄膜晶体管的器件性质之间的关系,为进一步器件优化指明了方向。使用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪,首先,以简单的近似透明材料为例进行了椭偏测量和数据处理,讨论了椭偏数据拟合的一般过程。然后重点研究了较为复杂的强烈吸收的酞菁类材料的椭偏测量和数据处理,第一次报道了用椭偏法测量TiOPc薄膜的光学性质的实验与分析过程,并比较了一系列锌酞菁薄膜的光学常数和复介电常数,研究了外围取代基对酞菁材料光学性质的影响。