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目前磁记录密度的提高受到热稳定性的限制，层间反铁磁耦合引入到磁记录中是解决这个问题的方法之一。本论文用磁控溅射沉积样品，研究Co/Ru多层膜为基的多层膜的层间耦合性质，通过改变Co/Ru/Co多层膜中的磁性层(CoFe薄膜)、非磁性层(RuPd)研究对层间耦合性质的影响；研究[Pt/Co]5/Ru/[Co/Pt]5的垂直反铁磁耦合性质；通过底层Ru厚度的改变调节层间耦合性质研究层间反铁磁耦合。
通过改变CoFe中Co和Fe的成分比，研究CoFe/Ru多层膜中饱和场Hs随Ru层厚度变化的振荡关系，本研究做的Co/Ru多层膜的实验结果与Parkin等的实验结果比较一致。本实验结果表明：在6-9ARu厚度范围内，Hs(Co/Ru/Co)＞Hs(Co75Fe25/Ru/Co75Fe25)＞Hs(Fe/Ru/Fe)。
Pt/Co多层膜被一定厚度的Ru层分隔可形成层间反铁磁耦合，本文首次观察到[Pt(1.2nm)/Co(0.3nm)]5/Ru(tnm)/[Co(0.3nm)/Pt(1.2nm)]5薄膜的有效垂直各向异性和剩余磁化随Ru层厚度变化有相似的行为。两者的极小值出现在Co/Ru多层膜反铁磁耦合峰值处。因而，振荡行为来源于层间反铁磁耦合。层间反铁磁耦合使得自旋从垂直方向转到面内方向，可在相对小的垂直各向异性样品中观察到这种行为。[Pt(1.2nm)/Co(0.3nm)]5/Ru(tnm)/[Co(0.3nm)/Pt(1.2nm)]5多层膜Kueff和Mr/Ms的振荡周期不同于Co/Ru/Co，Co/Cu/Co，Fe/Cr/Fe等多层膜层间反铁磁耦合的长短振荡周期。这可归结于不同的磁层费米面形状。
Pd掺入Ru层可导致层间耦合的明显改变，当掺杂浓度大时(x=0.48)层间反铁磁耦合可完全抑制，在这种情况下，Hs降低，剩余磁化提高；当掺杂浓度在中间范围时(x=0.28附近)，层间反铁磁耦合削弱；Hs只有在小掺杂浓度时(x=0.05)可被提高。Pd掺杂后的层间耦合也依赖于间隔层厚度，0.8nm时Mr接近零，Hs最大。AFC磁记录介质应该有大的饱和场，在H=0时两磁层之间有完全的反铁磁耦合。研究结果表明Pd掺杂在x≤0.05和tRuPd=0.8nm时可有效地提高Hs，本文认为小的Pd掺杂浓度的Co/RuPd多层膜也可引入到磁记录介质中。
本实验制备了反铁磁耦合纵向磁记录介质，发现可通过调节Ru底层厚度来显著改变反铁磁耦合记录介质的交换场，据悉，用改变Ru底层的方法提高层间耦合强度的方法以前没人报导过，这一结果具有实际应用前景。并通过对XRD图谱的分析，给出Hc与HHcx随Ru底层变化主要来源于底层Ru品格结构的增强。从磁畴方面比较单层与三层磁记录介质的杂散场不同，三层磁记录介质膜的杂散场较小。根据在沈阳科仪厂生产的磁控溅射仪和日本真空磁控溅射仪上做的样品，发现这两个仪器上的实验规律是一致的，本实验结果具有很好的重复性。