SiC陶瓷具有高熔点、高硬度、耐腐蚀、耐磨损、低膨胀系数等优良特性,是目前最具有产业化前景的先进工程陶瓷材料之一。本论文详细地介绍了SiC的结构、性质、应用及常见的几种制备方法,并着重介绍了SiC陶瓷的无压烧结方面的研究进展。与其他方法相比较,无压烧结法的实用价大,应用范围广,具有较强研究价值。本文以无压烧结制备了SiC陶瓷,探究了烧结助剂、烧结温度、掺杂浓度等实验参数对SiC陶瓷材料微观结构、介电系数、膨胀系数等性能的影响。主要研究内容如下:本论文首先研究了不同烧结温度与工艺对以Y₂O₃-Al₂O₃-MgO为烧结助剂的SiC陶瓷表面形貌的影响。通过对陶瓷样品的结构和表面微结构的检测分析,研究发现:经过预氧化处理的样品相比于未经预氧化的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大。预氧化处理与否,样品中均出现了Y3Al5O12相（YAG）。本论文以总质量分数9%的NdOCl/MgO为烧结助剂,制备了NdOCl/MgO配比不同的碳化硅陶瓷,对其结构和表面微结构进行了测量,并讨论了烧结助剂配比对SiC陶瓷介电性能的影响。研究表明:随着NdOCl/MgO比例的增加,样品中孔隙有减少趋势。烧结助剂NdOCl与MgO配比为4:5时样品相对介电常数及损耗均比配比为2:7时要小,二者损耗随温度变化近似是线性变化。本文还在1800℃条件下,以总添加量分别为5wt%和11wt%的LaF₃+MgO为烧结助剂,采用无压烧结方法制备了SiC-MgO+LaF₃复合陶瓷,利用XRD、SEM等测试手段对SiC复合陶瓷物相组成、微观形貌及热膨胀性能进行了测量与分析。研究发现,烧结助剂添加量为11wt%的样品比5wt%晶粒之间空隙大,晶体棱角明显,热膨胀系数大。