拓扑绝缘体由于其奇特的表面电子性质和在半导体自旋电子学方面的应用前景,引起了极大的研究热潮。其受时间反演对称性保护的无能隙拓扑表面态同样促进了理论和实验的研究发展。Bi2Se3和Bi2Te3是两种最热门的拓扑绝缘体材料,他们具有远大于室温尺度的块体能隙,对于今后在室温量子器件方面的运用具有很好的前景。但是,目前实验上制备的Bi2Se3和Bi2Te3材料具有大量缺陷等问题,这使得表面态的输运性质难以被利用,因此通过模拟计算对其进行能带调控,不仅对于自旋电子学和拓扑绝缘体器件有着十分重要的意义,还能为实验上的研究提供理论依据。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,探究了几种当下热门的拓扑绝缘体薄膜材料,主要为Bi2Se3、Bi2Te3、Cr掺杂Bi2Se3和Bi2(SexTe1-x)3合金。主要目的是为了实现对这些重要材料的电子结构调控,调控的方法包括磁性掺杂、外加应力和外加电场。通过目前常用模拟计算程序VASP软件包,我们计算了材料的能带、态密度、电荷密度、平均面电势,以及材料内不同成分的能带投影和分波态密度。我们通过对计算结果的分析来获得不同外场对材料性能影响的机制。