本篇论文对于半导体异结质中的自旋轨道耦合作用，而导致的自旋能谱分裂提供了一个理论研究方法。当体系翻转对称性被破坏，而导致Kramers简并被解除。我们主要集中讨论了异结质中两类不同的反对称，结构反转不对称SIA，特别体反转不对称BIA。这些效应在一类所谓的6．1(?)材料系统中：AISb．GaSb InAs被研究。半导体多层结构异结质是不对称的，而导致子带分裂被称为Rashba效应。从1990年Datta和Das提出利用自旋轨道耦合效应制造自旋的场效应管开始，自旋电子学开始注重半导体中的自旋—轨道耦合的研究。文章研究在二维自由电子的体系中有自旋—轨道耦合存在的情况下的能谱结构。先是回顾这么多年来自旋电子学中自旋—轨道耦合的研究情况，然后介绍我们所做的工作，以及工作中存在的问题，包括一些特殊势(环状势)的能谱结构的求解。第一章描述二维电子气体的性质，这个是基础的而且很成熟的部分。因为低维的半导体器件都是对二维电子气体做一些限制或者外加电磁场来进行测量，所以有必要做一些准备。第二章这一章开始讨论自旋—轨道耦合，由于我们所研究的系统有这个效应，所以要把这一效应描述清楚。第三章从这里开始描述自旋的输运性质。关于电子自旋输运的讨论，目前在自旋电子学中很流行，其中我们主要讨论了二维电子自旋输运问题。第四章这一章中，我们研究不同的限制势中，电子的能谱结构，其中有我们的一些研究工作，主要集中在抛物线势这种特殊的形式上。第五章这一章中，我们对自旋电子学中存在的问题提出了一些回看法，有些概念还有待于发展，有些还需要进一步研究。