【摘 要】
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Ge和Si都是间接带隙半导体材料,在光吸收和光发射方面与直接带隙材料相差甚远,这就影响了它在光电子方面的应用。人们为了突破体材料在光学特性方面的限制,在硅基质上制备了半导体量子点材料,这种纳米半导体材料,在光发射、光吸收以及三阶非线性光学等方面展现出了优异的特性,弥补了体材料的不足,为实现以硅为基质材料的光子器件迈出了重要的一步。这种纳米半导体复合材料在发光、显示、信息储存、传输、处理、光电探测及
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Ge和Si都是间接带隙半导体材料,在光吸收和光发射方面与直接带隙材料相差甚远,这就影响了它在光电子方面的应用。人们为了突破体材料在光学特性方面的限制,在硅基质上制备了半导体量子点材料,这种纳米半导体材料,在光发射、光吸收以及三阶非线性光学等方面展现出了优异的特性,弥补了体材料的不足,为实现以硅为基质材料的光子器件迈出了重要的一步。这种纳米半导体复合材料在发光、显示、信息储存、传输、处理、光电探测及高速光开关等领域有着广泛的应用前景。本文采用射频磁控反应溅射技术制备了富Ge二氧化硅薄膜,通过高
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本文以三峡库区顺层岩质滑坡为研究素材,重视地质原型现场调研与地质过程分析,采用原型调研与理论分析相结合、工程地质与岩体力学相结合、地质分析与数值模拟相结合的思路,从地质环境、发育规律、失稳机制几个方面对顺层滑坡稳定问题进行综合研究。试图通过本文的研究,既解决研究对象的工程实际问题,又在三峡库区顺层滑坡研究的基础理论和方法方面取得一些进展。通过对以上问题的研究,得出如下一些结论:(1)在长江三峡库区
生态水不但能截留一部分降水,而且在小范围区域内具有保持生态平衡的作用。国内外对水资源的研究较多,但与生态水(层)具有本质的区别。生态水(层)信息指标参数之一植被含水量在生态水(层)研究中具有很重要的意义。许多研究者利用TM、ETM图像,SPOT图像、MODIS图像以及侧视雷达图像等,根据植被对微波、近红外谱段的特殊敏感性(水分子震荡效应)等特征进行数字图像处理和含水量信息提取,取得一定效果;采用实
我军大量的后方仓库储存着重要的军事物资,战时物资的收发和运输对作战行动有着重要影响。库区道路是军用弹药和物资从库区到运输主干道的必经之路,也战时库区道路工程保障的薄弱环节。库区道路可靠性的高低往往主要取决于某个或某些可靠性较低的局部区域。由于部队尤其是中西部地区部队的大部分洞库都是隐藏在山里的,所以这些洞库和库区道路中有许多都受着危岩灾害的威胁。考虑战备需求经过对危岩体稳定性进行系统的研究,取得主
以三峡库区凉水井滑坡为依托,采用基于极限平衡理论的传递系数法、FLAC数值模拟和监测工程等手段对滑坡在三峡库区蓄水影响下的复活机制及稳定性演化规律进行了研究,得到了以下结论:(1)库水位变动对滑坡的作用方式主要表现为地下水对滑体的浮托减重作用、渗透力以及对滑带土的浸泡软化,其中库水位上升阶段以浮托减重和浸泡软化作用为主,库水位下降阶段以渗透力作用为主。(2)基于传递系数法和数值模拟的滑坡稳定性分析
为了研制高频(2.5GHz)大功率SAW滤波器所需的基底材料---“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构,本文建立了“IDT/AlN”结构和“IDT/AlN/Diamond”结构的几何模型,通过有限元分析软件ANSYS的多物理场压电分析模块来分别进行模态分析和谐响应分析,得到如下结论:(1)关于“IDT/AlN”结构,基频谐振频率f_r= 1.248GHz,反谐振频率f_a= 1.266GH
透明导电氧化物(TCO)薄膜具有透明性和导电性,广泛应用在平面显示器、太阳能电池、表面发热器、热辐射反射镜、电磁屏蔽以及辐射防护等领域。掺铟氧化锡(ITO)薄膜属于透明导电氧化物薄膜中的一种。本文在室温条件下制备了ITO薄膜,采用紫外-可见光-红外分光光度计、四探针电阻仪、AFM、XRD、SEM等仪器对薄膜的光电性能和表面形貌进行了测定和分析。本文采用直流磁控溅射法室温条件下制备了ITO薄膜,优化
无铅BiFeO3 (BFO)铁电薄膜是在室温下唯一同时具有铁电性和G型反铁磁性的多铁性材料,它属于R3c点群(a = 5.36 (A|°),α= 59.348°),具有扭曲的菱方相钙钛矿结构。BFO薄膜具有较大的剩余极化,较高的居里温度(TC = 1103 K)和奈尔温度(T_N = 643 K),这使它成为高密度非挥发性铁电随机存储器和其它诸如传感器、微波调制器、红外探测器等应用方面具有潜力的物
在当今飞速发展的数字化、信息化时代,需要保存和处理大量计算数据或各类多媒体信息,这就要求信息存储介质不但具有高密度、大容量、高速度,而且还要低成本、微型化的特点,产品应保持不断更新。磁记录具有记录密度高、稳定可靠、可反复使用、信息写入与读出速度快等特点,广泛应用于医疗、电子计算技术、军事、航天及日常生活等方面,从而成为当今信息社会必不可少的信息记录方式。目前,纵向磁记录应用较广,但由于较高的自退磁
铁电体薄膜材料因具有热电、光电、压电及高温超导等性能而被广泛应用于众多科技领域。薄膜的各种功能和特性与其生长形成的机制具有密切的关系,因此,通过各种方法研究薄膜在不同生长条件下的形成过程,探索改善和提高薄膜质量的途径成为薄膜材料研究的主要课题。一般情况下,对于薄膜的生长大多通过理论计算和实验观察进行研究,随着计算机技术的快速发展,利用计算机建立各种模型模拟薄膜的生长过程并进行相关分析成为理论推导和
本文设计了一套制备扫描隧道显微镜(STM)探针的自动切断电路,并利用自制的探针在超高真空-低温扫描隧道显微镜(UHV-LT-STM)上系统研究了红荧烯晶态薄膜在半金属Bi(0001)上的生长。首先在Si(111)7*7表面室温沉积20个单原子层(monolayer)的Bi然后在120oC下退火就可以得到非常平整光滑的Bi(0001)薄膜。红荧烯分子(纯度为99%)首先在120oC下经过一整夜的除气