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由于金属纳米棒比金属纳米微球表现出更高的金属增强荧光(MEF)的效果，本文主要采用电子束蒸发斜式生长银纳米棒(NDS)阵列研究其MEF效应，并首次把银纳米棒阵列的MEF与微流控技术相结合，实现其器件荧光检测灵敏度的提高。 1.本文运用电子束蒸发倾斜式生长法制备不同长度的银纳米棒阵列，并对其进行了形貌表征及尺寸的统计。 2.通过用一块盖玻片把荧光素异硫氰酸(FITC)夹在银纳米棒阵列和盖玻片中间，测量荧光增强因子(EF)。对于溶液的厚度为20.8微米和10微米的银纳米棒样品，EF分别为3.7±0.64和6.74±2.04。 3.由于银纳米棒之间有很强的等离子体激元耦合，只有嵌入三维的纳米棒阵列中荧光团发射能被增强，发现长度为T=2000纳米和T=3000纳米的银纳米棒的相应的有效增强因子(EEFs)是比较接近的，分别为259±92和340±102。 4.为了验证微流体系统中的MEF应用，二氧化硅的纳米棒/银纳米棒的多层结构集成进入毛细管电泳装置。当微通道的深度为10μm时，在氨基酸的分离检测中获得6.5倍的荧光检测增强。这项研究首次证明了MEF应用于银纳米棒阵列修饰微通道的可能性。 5.随着微流体装置的小型化，现今的毛细管电泳芯片的微通道的尺寸可以缩小到几个微米。本文创新性的用局域倾斜式生长法将银纳米棒阵列集成到了微型毛细管芯片中，实现了其荧光检测增强，增强倍数为6倍。