低能电子与N<,2>分子碰撞的微分散射截面研究

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本文采用振动密耦合方法,基于量子力学从头计算得到的静电势、交换势和极化势,其中极化势能分别采用球高斯分布极化势模型和优于绝热极化势模型,得到了收敛的振动激发微分散射截面,计算结果与实验值符合较好。 本文由五个部分组成。 第一部分简单介绍了研究电子与分子激发散射的目的和意义,并对电子分子激发散射的作用机制和常用的理论方法作一概述。 本文的第二部分对经孙卫国教授改进的密耦合方法进行了简要介绍,对其理论所考虑的物理前提、数学推导等都有重点的叙述。 第三部分中,对静电、交换和相关极化势进行了介绍,尤其是截面影响较大的极化势模型,包括BTAD极化势模型和冯灏副教授与孙卫国教授提出的DSG模型,进行了重点介绍。 第四部分,分别采用两种模型,对低能电子与N2分子的高振动激发散射微分截面进行了对比研究。 第五部分总结了我们的工作。
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