射频功率放大器在无线通信系统中起着至关重要的作用，是实现通信宽带化和高速化的关键性技术，正向着更高功率、更高增益、以及更高频率特性的方向发展。SiGe HBT工艺具有更低的价格、更高质量的氧化层、良好的衬底热传导率、以及属于Si基电路的特性，可实现包括PA在内的RF电路与基带电路的集成，实现真正的单片射频收发器，逐渐被用于中等输出功率的设计。基于GSM系统对功率放大器线性度与较高输出功率的要求，同时兼顾输出功率和功率附加效率（PAE），论文选择使用AB类线性功率放大器结构。论文采用两级共射极结构，设计了一款中心频率为870MHz，应用于GSM通信的AB类功率放大器，其主要结构包括输入匹配、极间匹配、输出匹配。由于射频功率器件容易出现不稳定而发生自激烧毁的情况，因此为保证放大器的稳定性，同时也保证增益和功率附加效率，论文在功率放大器结构设计中加入了RC反馈网络。主要做的研究工作是根据设计指标要求进行功放产品的调研选用最适合此次设计的功放结构，进行AB类功率放大器设计相关文献查询确定电路的基本结构，在基本电路结构基础上加入优化电路的设计，并根据搭建的电路进行前仿真、版图设计、后仿真、流片和测试。论文所设计的功率放大器在上海华虹NEC SiGe HBT（HeterojunctionBipolar Transistor）大功率集成电路0.18μm工艺下实现，芯片总面积为2mm*1mm。测试结果表明，单级功率放大器工作在3.3V电压下，增益为10dB，最大输出功率为8dBm（@Pin=-1dBm），测试结果与仿真结果较好的吻合。