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泡沫SiC因具有一系列优良的性能，如高强度、耐高温、耐磨、耐腐蚀、抗氧化、高导热系数、低热膨胀率、良好的抗震性和化学稳定性，是一种理想的结构催化剂载体材料。为了提高泡沫SiC的比表面积，本文通过采用电泳沉积、真空烧结的方法在泡沫碳化硅(SiC)上得到整体的铝膜，再经阳极氧化处理，在泡沫SiC表面获得纳米多孔Al2O3薄膜。同时对铝膜的电泳沉积过程、烧结过程进行了研究，并对阳极氧化制备纳米多孔Al2O3薄膜工艺进行了初步探讨。主要研究结果如下：
对泡沫SiC的电泳沉积过程研究结果表明：(1)悬浮液最佳配比为无水乙醇(Ethanol)+3g/L聚乙烯醇缩丁醛(PVB)+3g/L磷酸二异辛酯(PE)+0.6wt％Al；(2)为了得到较好的膜层，优化的电泳参数工艺为：电流为6mA(恒定)，电场小于150V/cm，时间小于5min；(3)在限制性边界流场装置中，能较好的解决泡沫SiC里层和外层膜层不均的问题。
对电泳沉积后铝膜的烧结行为研究表明：(1)当烧结气氛分别为真空和氩气(Ar2)保护气氛时，铝膜表现出不同的烧结行为，前者产生整体的铝膜，而后者产生氧化铝纤维，为了有利于后续的阳极氧化处理，应将烧结过程在真空中进行；(2)为了使铝粉颗粒熔化，获得致密的铝膜，同时形成Al-Si合金增强涂层与基体的结合力，应将结温度控制在960～1000℃之间；(3)通过碱液(NaOH)浸泡的方法可以适当调解基体表层的Si含量，从而达到控制铝膜层中硅含量。
对铝膜阳极氧化研究结果表明：(1)阳极氧化可以在泡沫SiC表面获得纳米多孔阳极氧化膜，其平均孔径约为18nm，密度约为7×1010/cm2，孔的存在显著地提高了膜层的比表面积；(2)氧化电压是生成多孔型膜的关键因素，只有当氧化电压超过产生多孔型膜的临界电压，阳极氧化生成多孔型氧化膜，反之则生成壁垒型氧化膜，在烧结后的泡沫SiC/Al膜上，临界电压在30～40V之间。