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半导体量子点材料由于其独特的物理性质引起了广泛的关注。其中基于PbS、PbSe和PbTe的Ⅳ-Ⅵ族纳米量子点由于其潜在的应用价值(例如：太阳能电池、光电探测器、发光二极管和激光器等),已逐渐成为国内外研究的热点。尽管理论上和实验上Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料的研究都取得了很大的进展,但是钝化后的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点特性还不是很清楚,需要进一步研究。本文主要从理论上对Ⅳ-Ⅵ族量子点钝化后的能带结构、电子态密度、消光谱、成键能、平均键长等进行了计算,为进一步研究量子点光电特性与应用提供理论基础。第一.介绍了密度泛函理论的基本框架及其发展过程。首先详细阐述了Thomas-Fermi模型,Hohenberg-Kohn定理,Kohn-Sham方程,以及最近密度泛函理论的各种修正方法(其中包括局域密度近似和广义梯度近似)。然后,介绍了所使用的材料物理计算软件—MS. Dmol3、MS. Castep软件。第二.运用密度泛函理论的计算方法,详细研究了不同结构、不同大小的纳米团簇物理性质,得出了化学计量的PbSe团簇的最低能量结构(LES),并计算了各个PbSe团簇的成键能、平均键长、能量带隙、能级结构、电子态密度、最高占据态分子轨道(HOMO)、最低未占据态分子轨道(LUMO)等特性。通过对比分析得出了物理参量随原子数n增加的变化规律。论文还使用了FDTDSolution软件计算了PbSe、PbS、PbTe球形量子点的消光频谱。第三.使用H、O、N、Cl、Br、F六种原子(配位体)钝化PbSe量子点,计算了钝化PbSe量子点中的成键能、平均键长、能量带隙、电子态密度。其中H、ON、Cl、Br、F六种原子分别钝化了Pb,Se6、Pb6Se1、Pb6Se13、Pb13Se6四种结构的量子点。随后解析了不同结构量子点被六种材料H、O、N、Cl、Br、F钝化后的物理特性。论文还计算了PbS、PbTe量子点被H原子钝化后成键能、平均键长、能量带隙以及电子态密度,并与PbSe的H原子钝化结果进行了比较分析。结果表明钝化后量子点的表面原子电子分布、配位体会对成键能、平均键长、能量带隙、电子态密度产生各种不同的影响。论文的最后总结了硕士期间的工作成果,对后续工作进行了展望。