降低碳纳米管与金属间接触电阻是碳纳米管在微纳电子领域获得广泛应用的前提。文中采用对碳纳米管掺杂过渡金属的方法来降低碳纳米管与金属间的接触电阻。不含缺陷和亲水基团的碳纳米管很难容纳外来原子,文中对在碳纳米管表面构造缺陷的高温热处理工艺进行了系统性研究。测试结果表明,高温热处理能达到活化碳纳米管的目的,在碳纳米管表面和端部产生缺陷,引入亲水基团羰基。随后将经热处理的碳纳米管浸泡在氯金酸水溶液中使其吸附氯金酸,然后氢气气氛下加热还原氯金酸为金。对获得的碳纳米管进行表征,结果表明碳纳米管被成功地掺杂了金,且金为N型掺杂剂。对活化碳纳米管的酸处理工艺也进行了研究。表征结果表明,适当的酸处理可有效活化碳纳米管,在碳纳米管表面和端部产生缺陷位并引入亲水基团羧基。对经酸处理的碳纳米管掺杂过渡金属金并进行表征,证明碳纳米管被成功地掺杂了金,且与经热处理后掺金的碳纳米管相比掺杂的金纳米粒子量更多更均匀。利用介电电泳方法将各碳纳米管样品组装到两金电极间,并使用LCR测试仪实时测量接触电阻。结果表明,掺金后碳纳米管与金电极间的接触电阻普遍降低,其中最大可减小到原来值的一半。而与热处理后掺金的碳纳米管相比,经酸处理后掺金的碳纳米管接触电阻更低。说明酸处理是更理想的活化碳纳米管的方法,对碳纳米管进行酸处理并掺金是有效的改善碳纳米管接触电阻的方法。