本文以高纯金属钒作为靶材，采用磁控溅射工艺制备氧化钒薄膜。并分析了溅射功率，基片温度和溅射气氛等对薄膜方阻值的影响。分析表明当氧含量增加时，薄膜方阻显著增加。溅射功率一方面影响氧和钒的结合程度，另一方面又明显影响薄膜的生长速率及薄膜的厚度，所以在其它工艺条件固定的情况下，出现了方阻极大值。基片温度的变化直接影响膜层的生长及特性，可以明显地改善薄膜的机械强度和附着力，而且随着基片温度的升高，在磁控溅射过程中各个价态的钒容易向高价的钒进行转换。并且发现方阻为45—60KΩ的薄膜比方阻为15—25KΩ有较强的相变特征。通过样品XPS分析得到在固定基片温度，溅射功率和氩流量后，随着氧流量的增加，四价钒和低价态钒在各态钒中含量比例存在一直增大的趋势，但当达一定的值后再增加氧含量，四价钒和低价钒的含量增加的趋势变缓。 首次在国内成功的制备出比较完整的VOx非制冷红外焦平面器件的微桥结构，在微桥结构制备过程中，牺牲层应采用光敏性的聚酰亚胺，在PECVD上用特殊工艺制作的光敏性聚酰亚胺能以很高的腐蚀速度去除掉，且对Si₃N₄的损害很小，支撑结构采用Si₃N₄，Si₃N₄的热导很低，有很好的热绝缘，VOx的热量极少通过Si₃N₄支撑“腿”传导损失。