【摘 要】
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本文以高纯金属钒作为靶材,采用磁控溅射工艺制备氧化钒薄膜。并分析了溅射功率,基片温度和溅射气氛等对薄膜方阻值的影响。分析表明当氧含量增加时,薄膜方阻显著增加。溅射功率
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本文以高纯金属钒作为靶材,采用磁控溅射工艺制备氧化钒薄膜。并分析了溅射功率,基片温度和溅射气氛等对薄膜方阻值的影响。分析表明当氧含量增加时,薄膜方阻显著增加。溅射功率一方面影响氧和钒的结合程度,另一方面又明显影响薄膜的生长速率及薄膜的厚度,所以在其它工艺条件固定的情况下,出现了方阻极大值。基片温度的变化直接影响膜层的生长及特性,可以明显地改善薄膜的机械强度和附着力,而且随着基片温度的升高,在磁控溅射过程中各个价态的钒容易向高价的钒进行转换。并且发现方阻为45—60KΩ的薄膜比方阻为15—25KΩ有较强的相变特征。通过样品XPS分析得到在固定基片温度,溅射功率和氩流量后,随着氧流量的增加,四价钒和低价态钒在各态钒中含量比例存在一直增大的趋势,但当达一定的值后再增加氧含量,四价钒和低价钒的含量增加的趋势变缓。 首次在国内成功的制备出比较完整的VOx非制冷红外焦平面器件的微桥结构,在微桥结构制备过程中,牺牲层应采用光敏性的聚酰亚胺,在PECVD上用特殊工艺制作的光敏性聚酰亚胺能以很高的腐蚀速度去除掉,且对Si3N4的损害很小,支撑结构采用Si3N4,Si3N4的热导很低,有很好的热绝缘,VOx的热量极少通过Si3N4支撑“腿”传导损失。
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