铌酸锂晶体(LiNbO3,简称LN)是一种非常重要的多功能晶体材料,因为优良的热稳定性、化学稳定性和机械稳定性；突出的声光、电光、非线性光学等性能；并且它生长材料来源丰富、价格低廉、容易生长成大尺寸。因而它在非线性光学、光波导、光开关和光储存等领域获得了广泛的应用,人们对它的特性进行了深入的研究。目前国内的研究集中在掺杂铌酸锂晶体上,掺杂大大改善了晶体性能,提供了晶体的丰富多彩的性质和广阔的应用前景。纯的铌酸锂晶体是掺杂的基础,本征缺陷和非本征缺陷影响晶体内载流子迁移和复合,尤其是晶体的暗电导受本征缺陷的数量和本征缺陷产生的电子迁移影响很大。本文通过实验对不同[Li]／[Nb]比纯的铌酸锂晶体的研究,分析了不同[Li]／[Nb]对纯的铌酸锂晶体暗电导的影响。建立相应的电子迁移模型,为晶体的掺杂提供理论基础。针对以上问题,本文以锂空位为基础,对不同[Li]／[Nb]组分的纯铌酸锂晶体的暗电导进行研究,主要包括以下几个方面的工作：一.对LiNbO3晶体的晶体结构和基本性质进行分析,明确纯的LiNbO3晶体基本性质和晶格结构,为下面工作提供基础。二.对LiNbO3晶体本征缺陷和非本征缺陷结构进行分析,以锂空位作为本文研究的基础,分析了缺陷离子在晶体中的能级结构,晶体的缺陷对纯的铌酸锂晶体暗电导的影响。三.利用外加电场的方法,对通过三种纯铌酸锂晶体样品的电流进行测量。通过数据处理得出电导随温度变化的规律,分析了这种差别的可能原因,建立相应条件下晶体的电子迁移的模型。拟合数据,得出了不同温度下晶体的激活能。四.通过理论分析和实验结果,分析不同铌酸锂晶体的电导差别的原因。最后得出结论：在纯铌酸锂晶体中,电子和小极化子的浓度是影响电导的主要因素,电子通过小极化子的输运是电导形成的主要机制。