【摘 要】
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砷化镓器件被称作第二代半导体,目前得到广泛的应用,在高频、高功率器件中为主流器件,广泛应用于无线通信、雷达、电子对抗等等领域,随着器件制作水平的不断提高,目前已经延
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砷化镓器件被称作第二代半导体,目前得到广泛的应用,在高频、高功率器件中为主流器件,广泛应用于无线通信、雷达、电子对抗等等领域,随着器件制作水平的不断提高,目前已经延伸到毫米波频段,因此对于精细的深亚微米栅制作提出了非常高的要求,作者针对制作砷化镓器件所采用的关键技术,T型栅制作技术进行了较深入的研究,尤其是在深紫外投影光刻进行深亚微米“T”型栅制作方面,开发出0.2微米以下的“T”型栅；本文主要包括以下2个方面的内容：1.简要介绍了“T”型栅制作所涉及到的工艺原理和器件原理,以光刻为主要研究对象,介绍了光刻工艺的原理,并对砷化镓器件制作中采用的相关工艺进行了介绍,以及当前砷化镓器件中“T”型栅主要制作方法,和主流工艺技术。2.进行了两种深紫外步进投影光刻机制作深亚微米“T”型栅的技术研究以及研究结果。
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