随着微电子器件线条尺寸的不断减小和芯片面积的持续增加,芯片内部的发热问题已经成为制约其发展的主要因素之一.要有效地解决微电子器件的热设计和热管理问题,首先需要知道在特定工作电压下器件的热场分布.SiO<,2>薄膜是微电子器件中最常用的绝缘层,测量其在一定条件下的热场分布为各种微电子器件的热设计提供理论依据.基于有限单元法电热模拟是求解微电子器件热场分布的有效途径之一,它根据电场和热场中传输方程的一致性,以相似定理为理论基础以有限元法为具体实现手段,将热场中的问题转化到电场中去进行求解,具有计算精度高、转化速度快、应用范围广等优点.该文首先讨论了基于有限单元法电热模拟的理论基础——相似理论,以及传统的电热模拟实验方法,然后介绍了有限单元法的基本原理.在此基础上,给出了基于有限单元法电热模拟的具体实现方法和手段,并用此方法求解SiO<,2>薄膜样片在电加热时纵向上的温度场分布.最后对模拟的结果进行了分析和比较,并提出了存在的问题.