差频法抑制环形压控振荡器的频率漂移研究

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振荡器是通过自激的方式使得自身输出的信号按周期性重复的一种电路,差分环形压控振荡器的输出频率容易受到环境等条件的影响而变的不稳定。影响环形压控振荡器稳定的主要因素包括电源噪声、温度变化两方面。本文从这两个主要方面入手研究提高振荡器稳定度的方法。   在电源噪声抑制上,提出利用电源反馈的方法来抑制频率的漂移。研究电源反馈和频率漂移之间的关系,利用浮栅晶体管作为频率控制管来实现反馈电路,并选择出合适的浮栅电容比例。采用浮栅晶体管后控制灵敏区偏移到负的电压区域,用浮栅单管设计数模转换器实现控制电压的负压输出,并用箝位电路保持数字量低位数据的有效传输。通过分别在Charter0.35μm CMOS工艺和TSMC0.18μm CMOS工艺库下仿真,比较电源噪声的抑制能力。并再对电路进行版图设计和后仿。   在频率温漂抑制上,通过分析MOS晶体管的迁移率和阈值电压随温度的变化关系,联系压控振荡器频率的温度敏感特性,提出了差频法抑制压控振荡器频漂的方法。为了更好的验证差频法的可行性,考虑到压控振荡器在0.18μm工艺比0.35μm工艺更敏感,所以采用TSMC0.18μm工艺库,通过仿真和电路优化寻找具有温漂一致性的两个不同压控点,根据相同电路结构下两个不同频率点具有相同温漂特性的特点,采用差频法获得稳定的差频信号,抵消压控振荡器的温漂特性。   差频法抑制环形压控振荡器频漂,经过仿真验证后能够比较好的实现电源波动和温度漂移的抑制:   (1)电源从1.6V到2.OV波动。在不同的仿真工艺条件下(ss、fs、tt、ff、sf)得到的中心频率范围从612.5MHz到862.5MHz,相应的频率漂移的范围都不超过中心频率的9%。   (2)温度从-10℃到150℃变化。在不同的仿真工艺条件下(ss、fs、tt、ff、sf)得到的中心频率范围从625MHz到850MHz,相应的频率漂移的范围都不超过中心频率的12%。
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