半导体纳米材料因其独特的量子尺寸效应、表面效应和光电效应而表现出的独特的光电及化学性质,被认为是最受期待的新型太阳能电池材料。而CdSe纳米材料由于禁带宽度合适,接近光伏电池所要求的最佳参数,更成为研究的热点。本文以N-甲基吡咯烷酮(NMP)为合成有机溶剂体系,以硝酸镉和亚硒酸钠为反应的硒源与镉源,加入络合剂及还原剂等,研究CdSe纳米晶的合成。实验采用两种前躯体注入的合成方式:高温沸点注射与室温注射,考察了各种工艺参数,如络合剂,回流温度,回流时间等对合成CdSe纳米晶的晶型、形貌以及性能的影响,并用表面活性剂在合成中进行改性,制备出纳米晶薄膜。研究表明,在高温注射下,采用氨水络合硝酸镉得到闪锌矿型CdSe纳米晶,采用柠檬酸络合主要为纤锌矿型结构的纳米晶;氨水络合体系下,提高回流温度有助于纳米晶结晶性的提高,但温度过高会导致纳米晶团聚,最佳回流温度为180°。前躯体溶液中Cd/Se的改变对纳米晶的尺寸影响较小,但会改变纳米晶的晶型,得到单一闪锌矿晶型的最佳配比为Cd/Se=1:1。不同的注入方式会导致纳米晶晶型的改变,混合注射可得到单一闪锌矿型纳米晶,纳米晶的尺寸主要分布在10~13nm。FT-IR分析可知,NMP在合成中起配位溶剂作用。紫外吸收分析可知,闪锌矿结构的纳米晶的禁带宽度为1.82eV。室温注射下,主要合成纤锌矿结构。随着回流时间的增加,纳米晶的尺寸增大,回流的最佳时间为30min,结晶性及尺寸均佳。随着回流温度的提高,纳米晶团聚现像比较突出,最佳的回流温度为180°,合成出的纳米晶尺寸分布较宽,分布最多的范围为11~12nm。紫外吸收分析可知,纤锌矿结构的纳米晶的禁带宽度为1.76eV。分散稳定剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的加入,并不改变粒子的形貌,但有明显稳定胶体溶液的作用,有助于制备纳米晶薄膜。聚乙二醇(PEG)对合成的影响不大,而十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的加入,得到了纳米晶簇。