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聚酰亚胺（PI）是一种高性能聚合物材料,由于具有优越的热性能、电性能和机械性能而被广泛的应用于航空、航天、核电和微电子等领域。现代电子技术等领域的快速发展,对聚酰亚胺的性能要求越来越高,对聚酰亚胺纳米杂化来改善其性能已成为材料科学领域的研究热点之一。随着纳米复合材料在电气领域的广泛应用,研究纳米填充物对聚合物介电性能的影响就成为实现纳米复合材料应用的前提条件。并且本实验室近些年来在研究纳米复合薄膜的介电性能和耐电晕机理上,积累了大量的理论认知。本文以此为背景测量了纳米三氧化二铝-聚酰亚胺复合薄膜（PI/Al2O3）和纳米二氧化硅-聚酰亚胺复合薄膜（PI/SiO2）的介电强度、介电谱特性、电导电流特性和热激电流特性。此外,还利用等温衰减电流法研究了美国DuPont公司生产的原始聚酰亚胺薄膜（100HN）和耐电晕聚酰亚胺薄膜（100CR）的陷阱能级分布。通过对溶胶-凝胶法合成的含量分别为5wt%,10wt%,12.5wt%,15wt%和20wt%的纳米三氧化二铝-聚酰亚胺复合薄膜和含量为5wt%,10wt%,15wt%,20wt%,25wt%和30wt%的纳米二氧化硅-聚酰亚胺复合薄膜的介电特性的测量,得出:（1）随着频率的增加,不同无机物含量的复合薄膜的相对介电常数减小,介质损耗角正切增加;（2）随着纳米无机物含量的增加,两种复合薄膜的击穿场强先增大后减小,相对介电常数和介质损耗角正切增加,电导电流增加,电老化阈值减小,TSC峰温向高温区移动,PI/SiO2复合薄膜的受陷载流子密度减小,PI/Al2O3复合薄膜的受陷载流子密度先减小,当填充量超过12.5wt%时,受陷载流子密度增加,PI/Al2O3复合薄膜在重量比为12.5wt%和15wt%之间有一个逾渗阈值存在;（3）相同无机物含量时,PI/Al2O3复合薄膜比PI/SiO2复合薄膜的击穿场强小,相对介电常数和介质损耗角正切大,电导电流大,电老化阈值小;（4）电晕老化后,两种复合薄膜的电流峰值减小,PI/Al2O3复合薄膜TSC峰温变化不明显,30wt%含量的PI/SiO2复合薄膜TSC峰温向低温移动。研究了DuPont原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜等温衰减电流特性,得出:耐电晕聚酰亚胺薄膜（100CR）等温衰减电流衰减速度比原始聚酰亚胺薄膜（100HN）快且随温度的变化不明显。随着温度升高,100CR薄膜和100HN薄膜测得的陷阱能级密度的峰值移向深陷阱,陷阱能级密度也变大;100CR薄膜的陷阱能级密度比100HN薄膜大。电晕老化以后,100CR薄膜的等温衰减电流衰减速度减慢,陷阱能级密度的峰值移向深陷阱,陷阱能级密度减小;100HN薄膜等温衰减电流衰减速度几乎不变,能级密度的峰值几乎不变,陷阱能级密度有大幅度的增加。