Si C和Ga N为代表的第三代半导体材料与Si基半导体材料相比具有更高的禁带宽度和热导率,第三代半导体制作的器件,可以在更高的工作电压和温度下运作,理论工作温度可以达到250℃,锡焊料等传统互连材料已经难以满足第三代半导体器件可靠互连的要求,金属纳米颗粒可以在低温烧结,高温运行,能对第三代半导体器件在恶劣工况下提供可靠互连。铜银双金属核壳纳米颗粒具有纳米银的抗氧化性和纳米铜的抗电迁移能力,核壳结构发挥了纳米铜和纳米银的优势,克服了纳米铜和纳米银的劣势是更为理想的纳米金属烧结互连材料。然而,铜银双金属核壳纳米颗粒仍面临难以形成均匀致密的银壳,包覆过程纳米颗粒加速团聚,难以制备出分散性良好的铜银双金属核壳纳米颗粒等问题。因此,本课题提出了一种铜银双金属核壳纳米颗粒及其制备方法,再使用电化学方法分析银壳层沉积生长过程。本文使用纳米铜制备与银壳包覆分开进行的方法,让纳米铜通过置换反应包覆银壳的方法制备铜银双金属核壳纳米颗粒,直接将纳米铜与银离子在可控体系下通过置换反应完成银壳层包覆得到铜银双金属核壳纳米颗粒。首先实验使用液相还原法制备相貌良好、产出稳定的纳米铜。再进一步研究纳米铜快速前处理工艺,在银层包覆前去除纳米铜存储过程中产生的氧化物。再进一步通过控制络合剂用量、分散剂种类、分散剂种类等工艺参数等实验参数,结合新型的纳米铜快速前处理工艺,研究出能简便快速制备铜银双金属核壳纳米颗粒的工艺,制备出尺寸均匀、形貌均一、分散性良好、抗氧化性良好的铜银双金属核壳纳米颗粒。通过对比实验获得较优铜银核壳双金属纳米颗粒制备工艺流程和工艺参数后,使用较优工艺开始批量制备,并对制备出颗粒进行形貌分析、成分分析、核壳结构分析和抗氧化性分析等一系列表征分析,将新工艺制备的与铜银核壳双金属纳米颗粒已有研究成果进行对比,分析新工艺的优缺点。进一步,使用电化学分析手段探索不同反应条件对银壳层生长的影响机理,使用循环伏安法(CV)、计时电流法(CA)和线性伏安法(LSV)等电化学分析手段研究各分散剂在银沉积过程中所起的作用,分析明胶、聚乙二醇(PEG)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)三种分散剂对银沉积反应过程、沉积过程动力学和阴极极化作用的影响,明胶对银离子有络合作用,且明胶的镀液不管在小电流还是在大电流下对还原银沉积过程都有较好的极化作用,效果优于PVP与PEG表现,由此揭示不同分散剂体系下制备的铜银双金属核壳纳米颗粒的形貌、分散性等性能存在差异的机理。