自组织InAs/GaAs量子点的生长和物性表征

来源 :中国科学院半导体研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ken331
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自组织InAs量子点的生长和物性表征,是目前低维半导体物理研究领域一个前沿课题.该论文较为深入地研究了量子点的多层垂直相关生长机制、生长停顿效应、退火行为以及其光致发光谱泊温度依赖关系,并取得了一些有意义的结果.(1)系统研究了多层自组织量子点的垂直相关生长机制;(2)在In-As岛形成之后随即引生长停顿的研究,"有助于人们更好地了解量子点形成以后进一步的发展演化过程";(3)首次研究了用GaAs部分覆盖InAs量子岛以后再引入生长停顿过程;(4)研究了自组织量子点结构的退火行为,发现其中的应变使退火引起的互扩散加强;(5)系统分析了量子点光致发光的温度依赖关系,研究表明量子点发光淬灭以及发光峰位和半高宽独特的温度依赖关系主要是由于点中的载流子热发射到约IML的浸润层后非辐射复合所致.
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