N型硅高长径比通道阵列可以通过光电化学腐蚀方法制得,在进行光电化学腐蚀前,硅片表面需要制备诱导坑结构和欧姆接触层。本文采用扩散式和注入式两种工艺对硅片表面进行了处理,进行了大孔硅光电化学实验,测量了两种工艺样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,对比分析了不同工艺的影响,对诱导坑及欧姆接触层制备工艺进行了优化,最后将扩散式工艺作为诱导坑及欧姆接触层的制作方法。使用金相显微镜和扫描电子显微镜,观察了腐蚀后的大孔硅通道列阵形貌,研究了光源、腐蚀电压、腐蚀液的配比、表面活性剂、搅拌情况、温度等各工艺参数对光电化学腐蚀的影响,优化了光电化学腐蚀工艺。其最佳腐蚀条件是:光源为LED面阵（850nm红外光）;腐蚀电压为0.4V;腐蚀液的组成及配比为,HF（150ml）、C₂H₅OH（200ml）、去离子水（2000ml）、x-100（2.5ml-5.0m1）;腐蚀温度为23℃;精密定时双向电动搅拌器等。研究了机械研磨减薄技术、化学减薄方法、化学机械抛光技术、滚圆、清洗、扩孔、激光加工和钻床打孔取样技术等大孔硅通道列阵结构释放的各种方法,经过反复的实验,最终得到了理想的硅通道列阵样品。