本论文主要论述了含硫小分子离子CS₂⁺的光解离谱（CS₂⁺的凹陷谱和CS⁺、S⁺的增强谱）以及光解离动力学的实验研究。获得的主要结果如下：CS₂⁺经由H←B²∑_u⁺←X²Π_g,3/2跃迁的[1+1]光解离谱研究在超声分子束条件下，用483．2nm的激光作用于CS₂分子，通过[3+1]REMPI方法制备纯净的母体离子CS₂⁺（X²Π_g（000））。在270～285nm范围内扫描解离激光，获得了CS₂⁺经由H←B²∑_u⁺（υ₁υ₂0；υ₁=0～2，υ₂=0,2）←X²Π_g,3/2（000）电子振动跃迁的[1+1]光解离谱（CS₂⁺的凹陷谱和CS⁺、S⁺的增强谱），（H代表8．7～9．2eV的某个激发态）。上述[1+1]光激发解离过程中光解碎片离子CS⁺和S⁺的分支比CS⁺／S⁺为2～4，能量较低的解离通道S⁺（⁴S）+CS（X¹∑⁺）并没有占优势。解离过程中碎片产物平动能较小的事实可以解释如下：CS₂⁺经[1+1]光激发过程跃迁至能量在8．7～9．2eV的某个激发态，随后沿能量较高的解离通道解离，生成了平动能较小的激发态碎片产物。CS₂⁺经由H←B²∑_u⁺（υ₁υ₂0）←X²Π_g,3/2（000）跃迁的[1+1]光解离机理概括如下：（能量在8．7～9．2eV的激发态） CS₂⁺（能量在8．7～9．2eV的激发态）→CS+S⁺ CS₂⁺（能量在8．7～9．2eV的激发态）→CS⁺+SCS₂⁺经由C²∑_g⁺←B²∑_u⁺←X²Π_g,3/2跃迁的[1+1’]光解离谱研究第一束解离光λ₁固定在281．9nm或277．2nm，在606～765nm范围内扫描第二束解离激光λ₂，分别探测CS₂⁺、CS⁺和S⁺离子强度随λ₂的变化，获得了CS₂⁺经由C²∑_g⁺（υ₁υ₂0；υ₁=0～4，υ₂=0,2,4）←B^∑_u⁺（000,100）←X²Π_g,3/2（000）两个跃迁系列的[1+1’]光解离谱（CS₂⁺的凹陷谱和CS⁺、S⁺的增强谱），其中C²∑_g⁺（υ₁υ₂0）←B²∑_u⁺（100）跃迁系列的10个谱带是首次观察到。用最小二乘法拟合所有跃迁的共振峰，得到C²∑_g⁺态的光谱常数v₁=666．2±2．5cm^-1，v₂=363．2±1．9cm^-1，X₁₁=-5．5±0．1 cm^-1，X₂₂=1．6±0．1 cm^-1，X₁₂=-8．6±0．2cm^-1，和k₁₂₂=44．9±2．5cm^-1（费米共振常数）。C²∑_g⁺态[1+1’]预解离通道只有S⁺（⁴S）+CS（X¹∑⁺）和CS⁺（X²∑⁺）+S（³P）是允许的，预解离碎片分布对激光偏振方向是各向同性的。产物离子分支比CS⁺／S^约为1，S⁺获得的平动能比CS⁺离子多。C5₂⁺经由C²∑_g⁺←B²∑_u⁺（000,100）←X²Π_g,3/2（000）跃迁的[1+1’]预解离机理概括如下：[1+1]和[1+1’]光解离通道的竞争研究CS₂⁺[1+1’]和[1+1]光解离的碎片离子分支比CS⁺／S⁺随激发光能量的变化而明显不同，表明这两个解离通道存在竞争。我们给出了CS₂⁺离子经由C²∑_g⁺←B²∑_u⁺（000,100）←X²Π_g,3/2跃迁的[1+1’]解离通道与H←B²∑_u⁺（000,100）←X²Π_g,3/2跃迁的[1+1]解离通道相互竞争的理论模型。实验上，第一束解离光λ₁分别固定在281．9nm和277．2nm，第二束解离光λ₂分别固定在722．4nm和720．6nm，改变第二束解离光的强度I₂，测量碎片离子分支比R（S⁺／CS⁺）随两束解离光的强度比值R_I（I₂／I₁）的变化。通过用理论模型对实验数据R-R₁的拟合，获得了[1+1’]解离通道的C²∑_g⁺←B²∑_u⁺跃迁截面（σ_C）与[1+1]通道的H←B²∑_u⁺截面（σ_H）之比R_σ（σ_C／σ_H）。对应于C²∑_g⁺（000）←B²∑_u⁺（000）和C²∑_g⁺（100）←B²∑_u⁺（100）两个跃迁的R_σ值分别为0．55±0．07和0．43±0．04。