绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)是一种由场效应晶体管(MOSFET)和双极型功率晶体管(BJT)结合而成的达林顿结构。它是电动汽车电机驱动核心器件之一,具有将直流转换为交流能力。它既具有MOSFE T的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有BJT的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。但是,目前国内还没有商品化的电动汽车IGBT投入市场,国内市场需求的器件主要依赖进口,因此,开发和研制具有自主知识产权的高性能的电动汽车专用IGBT迫在眉睫。本课题在调研电动汽车IGBT结构和工作原理的基础上,从理论上分析了器件结构参数和器件主要性能之间的关系,由此总结出IGBT主要参数(阈值电压、正向击穿电压及关断时间)的设计依据,并依据此理论完成了IGBT结构参数设计。有源区结构选用条状元胞结构；栅极选用平面栅结构；纵向结构选用非穿通型结构。依据所设计的结构参数,设计工艺流程,选取工艺条件和工艺参数,使用工艺模拟软件建立IGBT工艺模型。开发的1200V/75A非穿通型(NPT)IGBT芯片封装后测试结果达到研究既定目标,击穿电压在1400V以上,饱和电压2.2-2.7V,阈值电压5V。短路安全工作区试验通过10us,短路电流小于430A,并通过了可靠性和电动汽车工况模拟的初步台架验证。