方钴矿热电材料是综合性能较好的中温热电材料，由于具有较大的载流子迁移率和 Seebeck系数，使其具备高 ZT值的潜力，但由于晶格热导率较高，导致 ZT值较低，本文主要通过高能球磨纳米化、引入石墨烯、液相压实构建小角晶界等界面调控方式，降低晶格热导率，从而提高热电性能。采用 XRD、SEM、TEM、激光热导仪、电导率/塞贝克系数测试系统等方法研究了不同界面调控方式对方钴矿组织结构和热电性能的影响规律，得到如下研究成果：　　针对退火La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钴矿，采用高能球磨结合放电等离子体烧结（SPS）制备纳米结构块体材料，与参比样品相比，退火球磨样品的电导率基本一致，但塞贝克系数增大，相应功率因子也较高。退火球磨样品结构纳米化增强了对声子的散射作用，降低了晶格热导率，623K时晶格热导率达到最低为0.8Wm-1K-1，较参比样品降低了33%。通过高能球磨实现结构的纳米化不仅改善了电性能，也有效地降低晶格热导率，进而提高了热电性能，退火球磨样品的热电优值在723K时从0.8提升到1.05。采用 PECVD法在 p型退火La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钴矿粉体表面原位组装石墨烯，制备出p型方钴矿/石墨烯复合材料，发现石墨烯的引入对p型La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钴矿的电导率无明显影响，但塞贝克系数略有提高。石墨烯的引入明显降低 p型La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钴矿的晶格热导率，673K时具有最低值为0.9Wm-1K-1，较参比样品降低了25%。石墨烯的引入对电性能稍有改善的同时，明显降低晶格热导率，使ZT值在723K时从0.8提高到1.00。　　采用熔体旋甩结合液相压实法制备 n型 CexCo4Sb14.4（x=0.1、0.125、0.15、0.175、0.2）方钴矿，发现电导率随着填充量的增加而增大，Seebeck系数与电导率的变化趋势相反，填充量为 x=0.15的样品具有最高的 PF，约为45.7?Wcm-1K-2。热导率和晶格热导率均随着填充量的增加先减小后增大，填充量为x=0.15的样品具有最低热导率约为3.08Wm-1K-1。Ce0.15Co4Sb14.4样品在773K时ZT值最高为1.15。