随着大规模集成电路的发展,电子器件尺寸越来越小,受隧穿效应的影响,栅极漏电流开始成为一个不容忽视的问题。传统的Si02作为栅极氧化物已经难以减小尺寸,因此急需研发出新的高介电栅介质。钽、铌的氧化物介电常数较高,有较宽的带隙,合适的通道势垒高度,对硅基体良好的热力学稳定性,是一种很有前景的高k栅介质。金属醇盐则是这类氧化物化学气相沉积的常用前驱体。在三电极体系中,测定了钽阳极的动电位极化曲线、循环伏安曲线,并研究了温度、电解质浓度等因素对阳极溶解过程的影响。随着温度的升高和电解质浓度的增大,点蚀电位Eb降低,钽板的电化学溶解速度增大。通过钽阳极电化学腐蚀后的形貌和极化曲线的形状,可以判断腐蚀过程属于点蚀。以金属钽、铌板为阳极,不锈钢板为阴极,季铵盐为导电剂,在直流电下直接电化学合成了丙醇钽、异丙醇钽、丁醇钽和乙醇铌。在5kPa压力下减压蒸馏分离得到高纯产物。通过红外光谱、拉曼光谱和’H核磁共振谱对产物其进行表征。通过对钽、铌氧化物的杂质元素分析表征其纯度。ICP-MS分析结果表明,其纯度可达99.997%。通过热重-差热分析,确定了其挥发与热分解性质。钽、铌醇盐热重-差热分析结果表明,钽、铌醇盐失重速率较大,失重和热分解之间有一定的温度窗口,符合化学气相沉积对于金属醇盐前驱体的要求。通过朗格缪尔方程来计算钽、铌醇盐的蒸汽压,通过克劳修斯-克拉佩龙方程来计算钽、铌醇盐的蒸发焓,丙醇钽的蒸发焓为95.3kJ·mol-1,温度.蒸汽压关系式可以表示为：1n P=31-11467.5/T；丁醇钽的蒸发焓为105.9 kJ·mol-1,温度-蒸汽压关系式可以表示为：1n P=32-12753.7/T；乙醇铌的蒸发焓为75.1 kJ·mol-1。乙醇铌的温度-蒸汽压关系式可以表示为：1n P=28.1-9027.2/T。结果表明,丙醇钽、丁醇钽和乙醇铌的蒸汽压大小能够满足化学气相沉积的要求,有足够的挥发速率。