核技术的成败取决于材料在反应堆强辐射场下的行为。作为核聚变堆候选材料，SiCf/SiC(SiC连续纤维增强SiC陶瓷基复合材料)已逐渐被先进核能系统接受，其抗辐照性能也正被广泛研究。本文主要目的是采用分子动力学方法研究单晶SiC的辐照行为，目的是为SiCf/SiC复合材料提供基础数据支持和理论参考。本文使用基于分子动力学方法的LAMMPS软件，建立4H-SiC单晶块体的分子动力学模型，在原子尺度上对密排六方结构4H-SiC的辐照级联碰撞过程进行计算模拟，研究辐照级联中微观结构演变过程，探索辐照条件对各种点缺陷的影响规律。本文采用能量为10keV的Si初始离位原子作为入射粒子，辐照级联模拟结果与文献模拟结果吻合。此外，本文中也研究了一些可能影响辐照级联的相关参数，如时间步长、辐照温度、PKA原子入射能量和入射方向并得到了相关结论。基于上述4H-SiC单晶块体模型，本文研究了辐照对4H-SiC单晶块体模型力学性能的影响。结果表明不同拉伸方向上均可以明显观察到4H-SiC单晶块体各向异性特性，辐照使4H-SiC单晶块体弹性模量增加，辐照后4H-SiC单晶块体断裂极限和断裂延伸率均相应降低。可明显观察到辐照后4H-SiC晶体从辐照缺陷位置开始断裂，而完美4H-SiC晶格断裂则是随机无规则断裂。