材料的磁光效应包括法拉第效应、克尔效应及磁线振双折射和磁圆二向色性。其中，被广泛研究和应用的是磁光法拉第效应和克尔效应。基于法拉第效应、克尔效应的磁光器件已经在光存储、光信息处理、光通讯等领域得到广泛的应用，未来在光计算、光雷达等领域将会有进一步的应用。从1956年狄龙在钇铁石榴石单晶中观擦到磁畴结构开始，铁石榴石晶体就一直是被研究最多并且应用最广泛的磁光材料。随着技术的发展，新材料的发现和新的合成手段的出现大大拓宽了磁光材料的研究范围。本工作致力于磁光法拉第效应的材料研究，尝试用两种不同的合成方法来合成稀磁半导体及纳米复合物，寻找新型的可应用的磁光材料。尽管这两种新型磁光材料还处在研究阶段，但由于其潜在的应用吸引了众多的科研目光。　　 本研究包括法拉第效应测试系统的组建和材料的合成制备以及样品的测试。该测试系统综合考虑了系统各方面的误差，能够测量法拉第旋转角不太小(＞0.025°)的各种形状的磁光样品，完全满足我们对测试的要求。在材料合成上，我们用熔盐法和Sol-Gel法分别制备稀磁半导体和纳米复合物作为我们的研究对象。样品的法拉第效应的测试是用我们组建的测试系统完成的。从研究ZnO-WO3-Na2O体系的相图出发，寻找一种可用熔盐法生长ZnO的助熔剂，在ZnO-WO3-Na2O体系中我们没有发现在1250℃之前适合于生长ZnO的助熔剂，但我们得到了ZnO-WO3-Na2O体系的相关系。应用熔盐法生长出三元化合物Na3.6Zn1.2(WO4)3并利用单晶解结构法解析了该体系的三元化合物的结构，修正了前人的结论。用Sol-Gel法合成制备纳米复合物NiO/SiO2。我们发现在NiO/SiO2体系中存在较小的法拉第效应，其法拉第旋转角为：3.651°/T·cm，其中非晶态SiO2基底效应为：3.194°/T.cm。在此基础上我们讨论了纳米NiO的磁性来源。目前，这一工作还在进行当中。