本论文工作是围绕任晓敏教授任首席科学家的国家重点基础研究发展规划项目(973计划项目)“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”项目分课题二“低温晶片键合及准单片光电子集成技术的创新与基础研究”(项目编号：2003CB314902)、国家自然科学基金重点项目“GaAs、InP基功能楔形结构材料工艺研究及在新型光电子器件中应用”(项目编号：90201035)展开的。 随着光电信息技术的发展，要求器件的尺寸越来越小，器件的性能越来越高，把不同的器件集成到一起已成为光电子器件研究的热点。而器件集成的实现是以材料集成的突破为先决条件。因此问题的关键主要集中在如何实现不同半导体材料间的异质兼容，从而最终实现器件的单片集成或准单片集成。由于GaAs和InP的晶格常数存在较大的失配，所以应用传统的异质生长技术得到的GaAs、InP的异质结构难以满足器件对材料提出的要求。对GaAs、InP晶片键合技术进行研究，正是为了利用键合技术集成材料的优势，得到高质量的GaAs、InP异质结构，进而获得高性能的器件。本论文对于利用低温晶片键合技术来实现大失配材料的准单片异质兼容的若干理论机理进行了系统的分析，并在实验上探讨了InP／GaAs的低温键合技术。主要的工作如下： 1．对键合技术的历史、现状，键合的方法以及键合技术在不同领域内的应用进行了系统的总结。 2．通过对键合晶片表面能和弹性能的分析推导出了键合发生的判定依据，并根据此依据分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲对键合的影响。得出：键合晶片的厚度在键合中起重要作用。 3．由键合发生的判定依据给出了刻蚀对键合的影响。浅层的刻蚀图案使得键合的发生更加困难，而深层刻蚀可以促进键合。