随着电子产品迅猛发展，需要一种可以存储更多电子能量的材料，聚偏氟乙烯（PVDF）有着高介电常数、低介电损耗和良好的击穿性能，有望满足这种需求而被广泛关注。虽然聚偏氟乙烯的各项性能的理论值比较高，但是在实际应用中介电常数和击穿强度还是较低，因此本文主要是对PVDF进行改性，以提高其性能。本文采用溶液流延法为制备工艺，主要添加钛酸铜钙（CCTO）改性聚偏氟乙烯，利用拉伸处理和添加钛酸钡（BaTiO₃）进行横向对比，然后使用偶联剂（FT-922）处理CCTO改性聚偏氟乙烯，接着利用最佳配比的偶联剂处理CCTO改性聚偏氟乙烯。通过傅立叶红外光谱、X射线衍射、示差扫描量热（DSC）和扫描电镜（SEM）对改性产物的结构和性能进行研究。研究结果发现：采用拉伸处理后的PVDF击穿强度明显提高，当伸长率在250%时，击穿强度可达200MV/m，但介电常数相比未做拉伸处理的有所降低，而无机粉体BaTiO₃/CCTO改性聚偏氟乙烯的介电明显提高，并且伴随着无机粉体含量的增加，击穿强度有所下降，当含量在10%时，综合性能比较良好。用偶联剂处理CCTO改性聚偏氟乙烯膜介电常数较高，而且击穿强度有所改善，其中当偶联剂的质量比为2%时效果最佳。偶联剂处理质量比为20%的CCTO时，制作出的膜性能较好，表面比较致密，所得的击穿强度也很高。