信息技术和计算机技术的高速发展对信息存储技术提出了更高的要求。体全息存储技术以其存储密度高、存储容量大,数据传输速率高、数据搜索时间短等优势成为一种颇具潜力的海量信息存储技术。近年来,体全息存储领域的研究热潮持续高涨。如何充分发挥体全息存储的优势,实现高存储密度、大存储容量,高数据传输速率的全息信息存储,并完善体存储器的各项性能,推进体全息存储技术的实用化,是近年来体全息存储领域的研究热点。三维盘式全息存储方案以其相对简单的光路读写机构以及与现有光盘系统的兼容性,更适合大容量数据存储的应用,因而也更具实用意义。本论文立足于体全息存储领域的研究前沿,在已有的理论及研究基础上,着重于如何实现高密度、高保真度、非易失性的盘式体全息存储的研究。并进一步优化盘式全息存储的方案和系统,以改善和提高盘式全息存储系统的各项性能,推进三维盘式全息存储技术的实用化进程。本论文从研究光折变晶体的全息存储性能入手,深入研究了多重全息存储条件下晶体噪声特性,采用信噪比损失系数(LSNR)重点考察了由于物光长时间照射晶体而引起的晶体内散射噪声的特性,即物光散射噪声对全息存储中输入图像像质的影响。并对物光引起的散射噪声特性和参考光引起的散射噪声特性进行了比较研究。实验结果表明,参考光或物光长时间照明晶体均会在晶体内建立起散射噪声,且物光的散射噪声影响远比参考光的散射噪声影响显著;氧化态晶体的散射噪声的影响小于生长态和还原态晶体;反射光路较之透射光路和邻面入射(90°)光路更不易受散射噪声影响。为了尽可能的减小散射噪声的影响,实际存储系统中,应当选用物光散射噪声小的取向,并选择适当的记录方式,适当掺杂和后处理的晶体来抑制散射噪声对存储图像质量的影响。针对光折变晶体内光伏噪声的成因,本文提出了抑制光伏噪声的有效方法即通过在晶体表面镀透明导电膜(氧化铟锡:Indium Tin Oxide,简称ITO)来短路晶体。分别研究了晶体在开路模式和短路模式下的噪声情况及主要的全息存储性能参数变化。实验结果表明,镀ITO 膜使晶体工作于短路模式后,信噪比损失明显降低,晶体中的光伏噪声被有效抑制。并且短路后晶体的动态范围(M~#)有