周期层片型结构现象极大的引起了学术界许多学者的关注和兴趣,各种解释理论模型也相继而出。然而,到目前为止并没有一个全面的理论让学术界欣然接受,各种关于周期层片型结构形成的机理都存在一定的争议。需要更多的研究工作来强化理论依据,新体系也有必要进行探究。而相图是材料科学研究的基础,本文通过测定Zn-Ti-Si三元系450℃相关系为基础,开展了一系列扩散偶实验,并利用扩散偶通道、界面反应理论对周期层片型结构进行研究。实验采用平衡合金法及压制保温法,利用扫描电镜、能谱仪和X射线仪等手段,测定了Zn-Ti-Si三元系450℃等温截面,实验表明该截面中包含了10个三相区:Liq.+TiSi₂+Si、Liq.+TiSi₂+TiSi、Liq.+Ti₅Si₃+TiZn₁₆、TiZn₈+Ti₅Si₃+TiZn₁₆、TiZn₈+ Ti₅Si₃+TiZn₃、TiZn₃+ Ti₅Si₃+TiZn、Ti₅Si₃+Ti₂Zn+α-Ti、Ti₅Si₃+Ti₂Zn+TiZn和Liq. +Ti₅Si₃+Ti₅Si₄,其中Ti₅Si₃几乎和其它相都存在着平衡关系,这说明它是一个非常活泼的相;另外,在450℃下出现了一个T相,成分范围为Zn （36.5-69.3 at.%） Ti （19.6-37.3 at.%） Si （11.8-26.14 at.%）,保温时间比较短时会在Ti₅Si₃相的边缘出现T相,将保温时间延长后T相消失,说明T相很可能是一个亚稳相,根据等温截面中的成分范围进行配比,在450℃下却没有得到T的单相,因此T相的成分及结构有待进一步研究。在相图测定的基础上,开展了Zn-Ti-Si和Zn-Ni-Si两个体系的扩散偶实验,利用场发射扫描电镜和电子探针对Ni₃Si/Zn反应扩散区中周期层片结构的形核位置进行了组织形貌分析,结果与本小组已提出的形成机理非常吻合,即Ni在T/Ni₃Si界面有明显的富集,当达到γ相形核的临界浓度时,γ相便会从T相中析出,最终形成连续的层片;同时,也对新体系Ti₃Si/Zn进行了探究,实验表明,在Ti₃Si/Zn液固扩散偶反应扩散区中形成了不完整的周期层片型结构,由T相和TiZn₃组成,且沿扩散方向,T相只有在Ti₃Si相的前沿形成。