铝溅射工艺是半导体制造中最常用的一种金属互连技术。BCD制程要满足大电流通过的需求,需要较厚的铝互连线。在某一BCD制程生产过程中,要求在比较高的温度条件下生长厚铝。在厚铝生长过程中产生应力的积累,这种积累的应力在铝薄膜晶粒边界处释放,造成铝沿晶粒边界的异向生长,形成铝柱状突起。在后续铝薄膜干法刻蚀工艺过程中,这种铝柱状突起无法被完全刻蚀干净,变成了影响产品良率的致命缺陷,定义此种缺陷为为铝柱状突起缺陷。本文详细描述了铝柱状突起缺陷的定位过程,设计试验,分析了此种缺陷产生的各个可能因素,找出了对铝柱状突起缺陷影响最大的因素-铝溅射时的温度控制。并进一步分析了影响铝溅射时温度控制的各个因素:溅射功率,硅片的传送路径,设备的散热效率,工艺腔各部件的温控方式…。对影响温度控制的各个因素分别进行试验,分析各因素影响程度。提出了一种在现有的设备条件下平衡成本和质量,在质量可以保证的条件下,对正常的生产过程影响最小,设备改造投入成本最低,切实可行的控制和优化铝柱状突起缺陷的方法。在实际生产中推广使用此方法,使得此制程顺利量产,为公司节约了成本。