【摘 要】
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CdZnTe晶体具有优异的光电性能.当x=0.04时，它是红外探测器材料HgCdTe的理想外延衬底;当x=0.05～0.5时，它被用来制作高性能室温X射线及γ射线探测器.同时，也可用于光电调制器以及
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Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体具有优异的光电性能.当x=0.04时，它是红外探测器材料Hg<,1-y>Cd<,y>Te的理想外延衬底;当x=0.05～0.5时，它被用来制作高性能室温X射线及γ射线探测器.同时，也可用于光电调制器以及薄膜太阳能电池等.特别是采用高阻值Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶体制备的X射线及γ射线探测器可进一步降低漏电流，提高能量分辨率.同时因其机械强度好、热稳定性好，近年来引起人们广泛的关注.采用ACRT-Bridgman法生长出Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te及Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶体，并测试了Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶体的光学及电学性能.根据测试结果，发现为了满足高性能X射线及γ射线探测器的要求，必须对晶体进行后续处理以提高其性能.采用三种工艺，对Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶片进行了退火改性.并对比分析了经过三种工艺处理后晶片红外透过度、成分均匀性、杂质含量及电阻率的变化.从中找到了一种实用可靠的工艺.采用该工艺，降低了Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶片中的杂质含量，均匀化了晶片的成分分布，使晶片的红外透过率提高到了60﹪以上.尤为重要的是，经过该工艺处理后，晶片的电阻率提高了2～3个数量级，达到10<10>Ωcm以上，满足了X射线及γ射探测器对材料性能的要求.
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