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氧化铟锡(Indium-Tin Oxide, ITO)结合了可见光范围内高透过率和高电导率的特性，主要作为防反射涂层和透明电极广泛应用于各种光电器件。高质量的ITO薄膜往往要求较高的沉积温度。但是，硅基薄膜太阳电池通常要求较低的沉积温度(<150℃)，以获得宽带隙的本征非晶硅层和p型窗口层。因此，如何在低温条件下获得高质量ITO薄膜前电极具有重要的研究意义。本文采用反应热蒸发技术，在低温(<200℃)条件下生长高质量的ITO薄膜，并将其应用于硅基薄膜太阳电池和HIT太阳电池中。首先，