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本论文用低压化学气相淀积方法制备了3C-SiC/Si，H-AlN/Si，6H-SiC/Sapphire这三种大失配异质外延结构，并对LPCVD生长大失配异质外延薄膜材料的生长机理和材料性质进行了系统的研究，在3C-SiC/Si基础上研究了StrainedSi/3C-SiC的性质。
取得主要结果如下：
(1)采用低压化学气相淀积生长方法，以SiH4、C2H4和H2作为气源，在15Pa的低的生长气压和900℃至1050℃较低的生长温度下，在蓝宝石(0001)衬底上异质外延生长具有较高的晶体质量的6H-SiC薄膜。
(2)采用LPCVD，在900℃-1100℃的温度条件下利用SH4+C2H4+H2反应气源在Si(111)衬底上外延生长出了良好结构的3C-SiC。
(3)利用低压化学气相淀积方法在AlN/Si衬底上进行6H-SiC薄膜的异质外延生长，并对其性质进行研究。实验中以SiH4和C2H4为生长气源，H2为携带气体，在低压18Pa，1000℃-1050℃的条件下在AlN/Si衬底上成功制备了6H-SiC薄膜，
(4)采用低压化学气相淀积生长系统，应变Si层成功地生长在弛豫的SiC缓冲层上。研究表明，应变Si层是p型，空穴浓度为2.93×1018cm-3，并且具有较高的空穴迁移率，为889cm2/V·s(300K)，不仅高于体Si材料，而且也高于生长在弛豫的Si1-xGex缓冲层上的应变硅层。