在2010年,Geim博士由于其在2004年通过机械剥离的方法制作出了二维单层石墨烯的工作而一举斩获了诺贝尔物理学奖掀起了二维材料的研究浪潮。然而由于石墨烯零带隙的性质严重限制了其在微电子器件与光电子器件领域的应用。与石墨烯类似,硒化铟是典型的Ⅲ-Ⅵ的层状的半导体材料,块材的硒化铟表现出了在大气环境下的良好的稳定性,很高的载流子迁移率以及很高的光吸收率,在微电子与光电子器件领域具有巨大的应用潜力,但是目前为止,制备的硒化铟的光电子与微电子器件主要是基于机械剥离法所得到的单层或少层二维硒化铟薄膜,虽然制备出的器件具有十分优秀的性能,但是由于材料主要是基于机械剥离法所获得的,故而其必然具有很强的随机性、很低的效率以及很低的产率,从而难以进行规模化的生产与应用。针对上述问题,本论文致力于开发一种能够大面积的、均匀的、快速沉积并具有较好的晶体结构以及相应性质的硒化铟薄膜的技术方法与工艺,而并不追求基于单层或少层二维半导体材料的器件的极致性能。本文研究了采用单靶磁控溅射法生长In₂Se₃薄膜的工艺,研究了实验中的溅射功率、实验中的退火温度对In₂Se₃薄膜的影响。得到了采用单靶磁控溅射法在室温下沉积In₂Se₃薄膜的较优工艺以及较为合适的退火工艺。本文研究了采用热蒸镀的方法制备In₂Se₃薄膜的工艺,结合后续的退火工艺得到了不同厚度的具有较好晶体结构的In₂Se₃薄膜,并研究了退火温度对薄膜性质的影响。本文利用管式炉进行了简单物理气相沉积的方法沉积In₂Se₃薄膜的实验,并利用所沉积的薄膜制作了底栅结构的场效应晶体管。本文通过自对准光刻技术制作了底栅结构的场效应晶体管基底,并通过旋涂有机半导体材料DNTT和C₁₀-DNTT并得到了场效应晶体管转移特性曲线。