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金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种技术。加热系统是MOCVD设备的重要组成部分,它能否快速、均匀的加热衬底,直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性,以及芯片的性能。每一个不同的MOCVD腔体都需要与之相匹配的加热装置。本文分析了MOCVD设备的具体结构和组成部分,对国内外现有设备的典型腔体结构和加热器结构进行了对比分析,总结其优缺点,选用技术较成