Cu₂O是一种理论光电转化效率高、可见光响应、无毒、制备成本低廉的具有发展前景的光催化剂,但在实际应用中存在光催化失活、光催化效率低的问题。本论文以结构均匀的非晶态合金为前驱体,采用脱合金的方法制备了Cu/Cu₂O和Cu/Cu₂O/TiO₂异质结复合半导体材料,有效抑制了光生电子空穴对的复合、提高了循环稳定性,并且产物容易回收。以Cu-Zr非晶态合金条带为前驱体,研究了前驱体成分、腐蚀液种类、腐蚀液温度、腐蚀时间对脱合金产物和光催化性能的影响。分析表明,不同前驱体成分下,Cu₅₀Zr₅₀的样品表面出现了较为均匀的多孔结构,且具有最大的比表面积20.49 m²/g。改变腐蚀液种类,前驱体仅在HCl溶液中能发生腐蚀。升高腐蚀液温度,产物的非晶峰逐渐减弱,Cu的衍射峰逐渐增强,仅在25℃下有Cu₂O的物相出现。延长反应时间,氧化亚铜的结晶峰逐渐增强,10 h的样品催化性能最为优异,催化降解MB 120 min内达到70%,降解速率常数K为0.0143 min^-1,50次循环后仍能维持70%的效率。采用Cu-Ti非晶态合金条带脱合金-热处理的方法制备出了不同形貌、结构、物相的复合半导体材料,研究了不同制备工艺对产物的影响。分析表明,随着前驱体中Cu含量的增加（Ti含量的减少）,产物中TiO₂的衍射峰逐渐减弱,Cu₂O的衍射峰逐渐增强,Cu₄₀Ti₆₀样品性能最为优异,降解MB 80 min内达到97%,K 0.0632 min^-1。XPS分析发现Cu₄₀Ti₆₀样品经腐蚀和热处理后生成Cu/Cu₂O/TiO₂复合材料,光催化性能测试后有少量CuO出现。随着腐蚀时间的延长,18 h样品展现出由纳米颗粒、纳米线、纳米棒堆垛而成的三维多孔结构,不同腐蚀时间的样品催化性能相近,光催化降解MB均能达到96%。变化热处理的真空度,在空气中生成Cu/CuO/TiO₂复合材料,光催化降解MB 80 min达到82%的去除率;0.098 MPa真空度下能够合成Cu/Cu₂O/TiO₂复合材料,光催化降解MB 80 min达到96%;5 Pa真空度下能够合成Cu/Cu₃Ti₃O/TiO₂复合材料,光催化降解MB 60min达到96%。随着热处理时间的延长,产物从TiO₂、Cu转变为Cu₂O、Cu、TiO₂的物相,热处理3.5 h样品的催化性能较为优异,降解MB 60 min内达到96%,K 0.052 min^-1。随着腐蚀液浓度的增大,样品的物相从Cu₄Ti₃、Cu、TiO₂转变至Cu₂O、Cu、TiO₂。2.4 mol/L浓度的样品性能最为优异,降解MB 60 min内达到96%,10次循环过后仍保持有89%的催化性能。该样品与Cu₂O、P25在不同光源条件下进行性能比较,可见光下样品的催化性能更优异,降解MB 80 min达到85%,K 0.024 min^-1;全谱光下样品的催化性能优于Cu₂O、劣于P25,降解MB 60 min达到96%的去除率。