探测器及其制造技术广泛地应用于军事、科技、民用等研究领域.随着越来越高的需求和半导体材料制备技术的发展,机械性能好、化学稳定和截止性能优良的GaN基Ⅲ-氮族紫外光电器件受到人们的极大青睐.该论文以ITO薄膜制备及其在GaN紫外光电器件中的应用为主要研究目的,介绍了ITO薄膜特性、紫外ITO膜制备、ITO-GaN的欧姆接触和肖特基势垒等方面所做的理论和实验工作,主要的研究内容包括:1.对ITO薄膜的透明导电特性进行了理论分析,主要研究了其导电机理、影响因素和用于紫外光谱区域的ITO薄膜的光学特性.2.探索了等离子体辅助电子束反应蒸发ITO薄膜的沉积工艺,研究了基底温度、蒸发速率、氧气分压以及等离子体参数等对ITO薄膜光、电特性的影响.所制备的ITO薄膜,在300~360nm光谱范围内最高透过率为80﹪(包含基底),电阻率可达3×10<-4>Ω cm.3.探索了射频和直流磁控溅射ITO薄膜的制备方法,分析研究了射频溅射和直流溅射的沉积工艺及镀膜后的退火处理.研制的ITO薄膜,在300~360nm光谱范围内具有较高的透光性(包含基底的最高透过率为80﹪),其最佳电阻率可达8×10<-4>Ω cm.4.介绍了金属与半导体的欧姆接触和肖特基接触理论,对多种金属与GaN形成欧姆接触和肖特基接触的方法及不同接触特性的评价进行了研究分析.5.探索了ITO薄膜与n-GaN的接触特性,实验结果表明:不需要高温热退火,ITO膜和高掺杂的n<+>-GaN可以得到很好的欧姆接触;通过高温快速热退火,ITO膜与低掺杂n-GaN能形成肖特基接触;ITO薄膜与n-GaN的欧姆接触和肖特基接触形成方法与一般金属-半导体的欧姆接触和肖特基接触的形成方法截然不同.