SiC是第三代半导体材料，具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率以及良好的化学稳定性等，在研发高温高压大功率等苛刻环境下服役的光电器件具有显著优势。SiC低维材料具有独特的表面效应和尺寸效应，展现出了远优于传统材料的物性，且能够推动其器件的微型化和集成化，为新颖高效的新一代光电器件研发提供了契机。　　本论文通过电化学刻蚀SiC晶片，在常温常压下实现了高定向、透明的4H-SiC纳米结构阵列制备及其结构调控，以此为基础，探索了其在光电催化剂领域的应用。综合本论文工作，取得主要研究成果如下：　　（1）采用电化学刻蚀法，在常温常压下实现了SiC纳米阵列的可控制备。通过调控刻蚀时间，能够实现纳米孔的直径、壁厚和深度的有效调控。　　（2）探索了SiC纳米阵列在光电催化领域的应用。研究表明，SiC纳米阵列在1 mol/L Na2SO4的溶液中、1 V(参比电极Ag/AgCl)偏压和光照激发（模拟太阳光和光功率100 mW cm-2）下，光电流密度可达1 mA cm-2，2000 s持续光照电流密度始终保持不变，表现出良好的光电催化稳定性。　　（3）进一步采用原子层沉积（ALD）技术对SiC纳米阵列进行表面修饰构建异质结（SiC@TiO2）。研究表明，在1 mol/L Na2SO4的电解液中，SiC@TiO2纳米阵列在1 V(参比电极Ag/AgCl)的偏压下电流密度为1.7 mA cm-2，相比SiC纳米阵列电极的光电流密度提高了70%。暗态电流几乎为零，再次光照时电极的光电流密度迅速恢复到1.7 mA cm-2，表明SiC@TiO2纳米阵列具有快速的响应速度。同时相比SiC纳米阵列，SiC@TiO2异质结纳米阵列展现出更小的阻抗，说明表明通过异质结的构筑能够强化SiC光阳极载流子的分离与输运。