气敏传感是一个气体吸脱附的过程,而纳米材料天生具有大的比表面积使得比起其它材料是个首要选择。二氧化锡是宽能隙半导体家族中的重要成员,属于n型半导体,其能隙宽度达到3.6 eV。SnO2作为一种新型无机功能材料,被广泛应用于锂离子电池、太阳能电池、催化剂、光电设备以及尤为突出的气敏传感器等。SnO2的气敏性能受一些结构参数的影响,如形貌、尺寸,结晶性及内部结构等。因此采用类似的方法制备一系列不同形貌的纳米结构对于深入理解和改进气敏传感性质具有重要意义。另外,若能将SnO2负载到NiAl-LDHs竖直薄膜上,合成一种新型复合型薄膜传感器,是一项很有意义的工作。主要的研究工作如下：1.通过溶剂热的方法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构模板剂,改变乙醇与水的比例合成了一系列内部结构丰富的SnO2自组装纳米结构微球,包括纳米锥球、表面粗糙的纳米空心球和实心球。我们发现除了CTAB外,溶剂中乙醇与水的比例以及反应时间对形貌的控制起着至关重要的作用。并且,令人意外的是,三种纳米球中纳米锥球而不是空心球的气敏性能最好。详细的结构表征使用FE-SEM, XRD, TEM和BET来揭示球内部的结构和结晶行为的差异。结果表明,最终气敏的差异来源于结构的结晶性、稳定性以及电子传输行为。2.通过水热的方法,成功地在气敏元件表面合成了NiAl-LDHs竖直薄膜。之后负载SnO2,制备了SnO2/NiAl-LDHs复合薄膜传感器。但由于NiAl-LDHs竖直薄膜片与片之间只是相互搭接,导电性较差,需要对该材料进行进一步的研究。然而结构规整的NiAl-LDHs竖直薄膜的制备,为之后SnO2的负载打下了良好的基础。