随着无线通讯技术的迅速发展,人们对无线通讯终端设备的需求趋向于微型化。同时,人们对无线通讯的带宽要求更高,因此需要更高的通讯频率。然而对于高频信号而言,分立器件间存在着较多的寄生效应,且占据较大的空间。这些因素给设计、应用都提出了很大的挑战。因此,迫切需要开发高性能的射频材料。在这种背景下,BaxSr1-xTiO3(BST)重新成为人们研究的热点。工作在顺电相的BST材料具有较高、且稳定的介电性能,同时介电常数随外加偏压而改变。而Ba0.5Sr0.5TiO3常温下为顺电相,具有较高的介电性能,这使得Ba0.5Sr0.5TiO3材料成为未来移相器、滤波器、变容器及旁路电容等器件潜在的应用材料。但是在实际应用和研究中还存在着一系列问题:介电可调性能与损耗性能存在着矛盾。本文通过射频磁控溅射工艺制备了(100)择优取向LaNiO3薄膜,并以此为缓冲层沉积Ba0.5Sr0.5TiO3铁电薄膜。研究表明,LNO缓冲层的引入促进了BST(100)择优取向,介电可调率由30%提高到45%,无缓冲层的电容损耗为0.2,引入后减小为0.05。进一步研究了缓冲层薄膜与铁电薄膜厚度对介电性能的影响,分析了影响薄膜性能的理论机制。创新性的提出:可以通过适当控制缓冲层厚度,在较小的BST厚度条件下,获得较高的介电常数和介电调谐性能。在获得介电性能良好的薄膜的基础上,本文基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)微细加工技术制备了平行平板电容和共面波导结构,建立了低频、高频测试的模型,并分别测量了低频(1MHz)、高频(0-20GHz)下材料的相对介电常数和介电损耗。