波长1.3μm高速光电探测器研究

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综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度性能,优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作的关键技术如:高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长;有源区的浅结扩散技术;为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术;小光敏面的光耦合技术等,采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InPPIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0.7A/W,暗电流小于5nA,其技术性能指标达到国际先进水平。
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