取代型Dawson结构杂多酸及其复合材料的制备与质子导电性能研究

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本文采用降解-离子交换-冷冻法,合成了取代型Dawson结构杂多酸H7[Ga(H2O)P2W17O61]·18H2O简写为P2W17Ga)和H7[In(H2O)P2W17O61]·23H2O(简写为P2W17In),并通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、X-射线粉末衍射和热重-差热分析等手段对其进行了表征。在此基础上,测定了它们在室温(18℃)、相对湿度(RH)70%条件下的质子电导率,并通过测定其不同温度下的质子电导率,研究了它们的质子导电机理。此外,选用质子电导率较高的取代型Dawson结构钨磷铟杂多酸H7[In(H2O)P2W17O61]·23H2O.聚乙烯吡咯烷酮(简写为PVP)及硅酸四乙酯(简写为TEOS)为原料,制备了含有取代型Dawson结构钨磷铟杂多酸的有机(高分子)基质复合材料PVP/P2W17In及多元基质复合材料PVP/SiO2/P2W17In,并通过红外光谱对其进行了表征。在此基础上,测定了它们在室温(18℃)、相对湿度(RH)70%条件下的质子电导率,并通过测定其不同温度下的质子电导率,研究了它们的质子导电机理。
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